Thursday, 21/6/2018 | 9:24 UTC+2
ХОРОШИеНОВОСТИ

Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой

Исследователи из Университета Пердью и Гарвардского университета (оба — США) ищут новые материалы для изготовления транзисторов с трёхмерной структурой, призванные прийти на смену традиционному кремнию.

В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.

Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных свойственными кремнию ограничениями на размеры элементов.

Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.

По мнению исследователей, применение InGaAs в транзисторах с трёхмерной структурой позволит преодолеть рубеж в 10 нанометров. А это означает возможность разработки более производительных процессоров с меньшим энергопотреблением.

 

По материалам: Университета Пердью

Написать комментарий

Ваш емейл публиковаться не будет *

Популярная новость

Новость к чаю