Monday, 20/11/2017 | 8:45 UTC+2
ХОРОШИеНОВОСТИ

Samsung начинает выпуск твердотельных накопителей для дата-центров по технологии 3 бита на ячейку

Новые SSD позволят дата-центрам улучшить управление рабочими нагрузками при работе пользователей с социальными сетями, веб-браузером и электронной почтой.

Сеул, Корея – май 2014 года Компания Samsung Electronics объявляет о старте массового производства высокопроизводительных SSD для серверов и дата-центров. Новейшая технология создания чипов памяти до 3 бит на ячейку (3-bit MLC) делает твердотельные накопители на основе NAND флэш-памяти оптимальным выбором для хранения и обработки больших объемов данных. Новые SSD позволят дата-центрам лучше управлять рабочими процессами, которые связаны с социальными сетями, работой веб-браузера и почты, и усовершенствовать их операционную эффективность.

«В прошлом году Samsung представил 3-битные SSD-накопители на базе NAND флэш-памяти для сегментов ПК и мобильных устройств. Новинки этого года предназначены для дата-центров и будут способствовать активному развитию новых областей рынка, — говорит Ян Хен Чжун (Young-hyun Jun), исполнительный вице-президент департамента маркетинга и продаж устройств памяти компании Samsung Electronics. — Мы ожидаем значительного роста рынка твердотельных накопителей. Новые модели Samsung PM853T гарантируют высочайшую производительность и сумеют улучшить инвестиционную эффективность современных дата-центров, что в итоге приведет к полноценной коммерциализации SSD в современных IT-системах уже до конца 2014 года».

Линейка SSD Samsung PM853T представлена моделями емкостью 240 ГБ, 480 ГБ и 960 ГБ, которые обеспечивают высокий уровень, как операций ввода-вывода в секунду в режиме случайного чтения (IOPS), так и качества сервиса (QoS), что критически важно при работе дата-центров и серверных облачных приложений. Учитывая эти преимущества, Samsung ожидает, что 3-битные SSD-накопители для центров обработки данных в скором времени сумеют полностью заменить 2-битные модели.

Технология создания чипов памяти до 3 бит на ячейку (3-bit MLC) позволяет повысить производственную эффективность на 30% по сравнению с памятью, в которой хранится до 2 бит информации на ячейку. Накопители изготовлены на основе чипов NAND флэш-памяти, которая выпускается по техпроцессу класса 10 нм. Они обеспечивают скорость последовательного чтения до 530 МБ/с и последовательной записи до 420 МБ/с. Скорость случайного чтения и записи достигает 90 000 и 14 000 IOPS соответственно.

С момента выпуска первых SSD Samsung 840 EVO с технологией хранения до 3 бит на ячейку в 2012 году компания стала лидером по производству накопителей для ПК и ультратонких ноутбуков. Сегодня Samsung продолжает расширять линейки с интерфейсами SATA, SAS, PCIe и NVMe, чтобы максимально ускорить процесс перехода с жестких дисков на SSD.

Согласно исследованиям IHS iSuppli, мировой рынок SSD увеличится с $9,4 млрд. в 2013 году до $12,4 млрд. в 2014 году, а к 2017 году достигнет отметки в $20 млрд.

Об авторе

Оптимист и любитель спорта, повар вкусных новостей.

Популярная новость

Новость к чаю

Реклама