Разрабатывается компьютерная память нового типа
Специалисты Центра нанотехнологий Бёрка при Университете Пердью (США) предложили технологию изготовления памяти с произвольным доступом на основе сегнетоэлектрических транзисторов (Ferroelectric Transistor Random Access Memory, FeTRAM)......